三氧化钨陶瓷的压敏特性
压敏电阻因具有良好的非线性伏安特性(压敏特性)，其电阻随电压的增加而急剧减小，在灭电火花、过电压保护、制备避雷针和电压稳定化等方面有着重要的应用。ZnO是最为常见的压敏电阻材料，主要应用于航空、航天、邮电、铁路、汽车和家用电器等领域。随着集成电路的快速发展，各种电子元器件的驱动电压及耐压值逐渐下降，由于ZnO陶瓷压敏电压较高和介电常数较低，限制了其在低压微电子领域的应用。近年来，低压压敏电阻材料的发展受到了广泛关注。1994年Makarov等首先报道了WO3陶瓷的非线性(压敏行为)，并指出由于WO3陶瓷具有非常低的压敏电压，可作为低压微电子领域的压敏材料使用。但在早期的研究中并没有对WO3陶瓷的压敏行为起源和机理等问题做出进一步研究和报道。
研究表明，WO3陶瓷的压敏特性与传统的ZnO和SnO2压敏陶瓷材料有所不同，传统的Schottky势垒模型已经不能很好地解释WO3陶瓷的压敏行为，需要对传统的晶界Schottky势垒模型进行修正。鉴于此，实验制备了WO3陶瓷，对其压敏特性以及机理进行了研究，并提出了修正的WO3陶瓷晶界Schottky势垒模型。
无掺杂元素烧结的WO3陶瓷具有明显的压敏特性，AES能谱显示陶瓷晶粒表面呈现过量的氧元素。对陶瓷样品的淬火和气氛处理结果表明，晶粒表面过量的氧元素是陶瓷冷却过程中氧吸附作用的结果。晶粒表面吸附的氧和W离子的作用下，与晶粒内部提供的电子结合在晶粒表面形成O–和O2–形式的界面态，进一步在晶界形成Schottky势垒，是WO3陶瓷压敏行为的起源。由此根据传统的压敏陶瓷晶界Schottky势垒模型，提出了修正后的WO3陶瓷晶界势垒模型。
