三氧化钨陶瓷的电学性能
在相同工艺条件下，纳米前驱体WO3陶瓷的介电常数要比微米基WO3陶瓷提高一个量级，而空气气氛烧结又可以将其介电常数提高一个量级。多晶WO3陶瓷与其它的压敏电阻(ZnO，Ti02等)一样，它的非线性电学性质也可以用肖特基势垒模型来解释。WO3晶粒由于氧缺位的存在，表现为n型半导体行为。
王豫等经过大量的实验研究认为WO3的非线性电学特性的出现与其常温下两相共存有一定的关系，他们认为相共存会影响晶粒晶格的匹配，使晶粒具有不同的介电响应。在空气气氛下烧结的样品为单斜和三斜两相共存结构，具有非线性的伏安特性曲线，而氢气气氛烧结的样品中只有单斜相结构，其伏安特性为线性，也在一定程度上证明了他们的猜想，常温下的WO3陶瓷的相共存问题导致了其肖特基势垒的产生，从而使WO3陶瓷具有了非线性伏安特性。
