三酸化タングステンセラミックスの感圧性特性
良好な非線形電圧特性（感圧性特性）を有することは、その抵抗値が急激に電圧に応じて増加減少バリスタので、電圧保護、雷や電圧安定化の準備の上、オフスパークので、重要なアプリケーションを持っています。 ZnOは主に航空、航空宇宙、通信、鉄道、自動車や家電製品に使用される最も一般的なバリスタ材料、です。集積回路の急速な発展に伴い、各種電子部品の駆動電圧と圧力値は、より高い酸化亜鉛セラミックバリスタ電圧と低誘電率のために減少し、低電圧マイクロエレクトロニクス分野での応用を制限します。近年では、低電圧バリスタ材料の開発は、大規模な注目を受けました。 1994マカロフ第1の非線形WO3セラミックス（感圧動作）を報告し、そして非常に低い耐圧のWO3セラミックスは、マイクロエレクトロニクスの分野で低圧感受性材料として使用することができるので、と指摘しました。しかし、以前の研究では、このような起源やさらなる研究やレポートを作成するためのメカニズムの振る舞いとしてセラミックスと敏感な問題をWO3ませんでした。
研究は、従来の結晶粒界のショットキーポテンシャルの必要性、ショットキー障壁の従来のモデルとは異なり、従来のZnO及び酸化スズバリスタ材料とWO3セラミックバリスタの特性は非常によくWO3セラミックバリスタの動作を説明することはできませんことを示していますベースモデルが修正されます。そこで、実験は、WO 3セラミックスが研究、および感圧性特性のメカニズム、及び修正案WO3セラミック粒界ショットキーバリアモデルた調製しました。
アンドープWO3のセラミックス焼結要素は、明白な非線形挙動を持つAESスペクトルは、粒子表面が酸素の過剰を示した示しています。セラミック雰囲気の試料および焼入れ処理の結果は粒子の表面が冷却中のセラミックの酸素吸着における酸素の過剰の結果であることを示しました。酸素及びWイオンの粒子表面の吸着の影響の下で、電子は結晶粒界に界面準位の形で粒子表面O-およびO2-で粒子を提供するために組み合わせるさらに、ショットキー障壁がWO3セラミックバリスタであります行動の原点。したがって、従来の感圧セラミック粒界ショットキーバリア・モデル、修正されたWO3セラミック粒界障壁モデルに従って。
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