三酸化タングステンの半導体セラミック材料
大規模集積回路（VLSI）半導体デバイス、チップ部品と新しい電子機器、敏感な部品やセンサー：今日の急速に変化する社会における科学技術については、クロステクノロジー・材料科学と情報科学技術は、以下のような新しい分野、数の誕生を浸透しますように。材料は、その導電性の半導体導体に従って分類することができ、絶縁体を挟ん。誘電体、強誘電体、圧電セラミックスおよび他の機能性材料、デバイス及びICパッケージとの電子部品の様々なタイプの製造は、絶縁碍子されます。その優れた絶縁性の伝統的な見方によれば、それらの特定の機能の基礎となっています。半導体の製造工程で材料を防止し、しばしばセラミック技術的対策の品質を向上させることが重要となります。したがって、セラミック材料の半導体を理解するのは難しいようです。しかし、正確にこのためにセラミック技術と半導体特性素晴らしい組合せの、分野で使用される（半導体磁器と呼ぶ）は、半導体セラミック材料、特に敏感な部品やセンサーの開発につながっています。
機能性材料の三酸化タングステン（WO 3）は、エレクトロクロミック、有毒ガスの検出および光化学触媒作用などの分野で広範なアプリケーションの見通しを系統的に研究されているです。近年では、WO 3セラミックは、低電圧低電流の特徴で良好な非線形電気的特性を示すが見出されています。 WO3、高誘電率、したがってセラミック、半導体材料の新しいタイプとして使用することができるが、マイクロエレクトロニクスの分野で応用されています。
セラミック体の導電率となるよう、セラミック粒子の材料組成の化学量論だけでなく、粒界ポテンシャル障壁内に形成されたドナーとアクセプターのインターフェースからの偏差に影響を与えるメカニズムの半導体磁器、不純物や欠陥を半導10月12日には、・〜103Ω-1 10-10の間にCM-1を増加させました。例えば、温度、電場、光、雰囲気、湿度などの外部条件により、半導体の導電性が大幅に異なる場合があります。この感度の特性は、高感度、簡単な構造、簡単な技術、低コストおよび他の利点と、敏感なコンポーネントおよびセンサー上に製造することができます。伝導特性の中で最も成功した敏感な抵抗に直接適用されます。例えば、上記撮像素子の約40％を半導体セラミックベースサーミスタ生産勘定です。下の半導体磁器感光材料のいくつかのタイプが記載されています。
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