Volframoksiidi Keraamilised Pooljuht

Pooljuhid on kristalse või amorfse kuivainete eristuvate elektrilised omadused. Nad on kõrge vastupidavus - kõrgem tüüpiline vastupanu materjale, kuid siiski on palju väiksem takistus kui isolaatorid. Nende takistus väheneb kui nende temperatuur tõuseb, mis on käitumise vastupidine metallist. Lõpuks nende läbiviimise omadused võib muuta kasulikul viisil poolt tahtlik asustamine ( "doping") lisandite kristalli struktuur, mis alandab tema takistus, vaid ka lubab luua pooljuhiliitmiku vahel erinevalt legeeritud piirkondades kristall. Käitumine laengukandjate neid ristmike aluseks on dioodid, transistorid ja kõik kaasaegsed elektroonika.

Volfram (VI) oksiid, mida tuntakse ka volframtrioksiidist või volfram, WO3, on keemiline ühend, mis sisaldab hapnikku ning siirdemetallide volframit. See saadakse kui vahe taastumine volframi selle mineraalid. Volframimaagid ravitakse leeliste toota WO3. Edasine reaktsioon süsiniku või gaasilise vesiniku vähendab volframtrioksiidist puhasteks metallist.

Volframtrioksiidist kasutatakse mitmel otstarbel igapäevaelus. See on sageli kasutatakse tööstuses toota volframaate x-ray ekraani fosfoore tuletõkkevahendina kangad ja gaasi andurid. Tänu oma sügav kollane värvus, WO3 kasutatakse ka pigmenti keraamikas ja värvidega.

Viimastel aastatel volframtrioksiidist töötanud tootmises electrochromic aknad või smart aknad. Need aknad on elektriliselt lülitatav klaasi, mis muudavad valguse läbivuse omadused rakendatud pinge. See võimaldab kasutajal toon oma aknad, muutes soojuse hulk või kerge läbib.

Volframtrioksiidist (WO3) on funktsionaalne materjal lai taotluse väljavaateid erinevates valdkondades nagu electrochromic, mürgise gaasi tuvastamise ja fotokeemiliste katalüüsiprobleemide on süstemaatiliselt uuritud. Viimastel aastatel on leitud WO3 keraamika omama head mittelineaarne elektrilisi omadusi tunnustega madalpinge ja nõrga voolu. WO3 on suure dielektrilise läbitavusega, seega saab seda kasutada kui uut tüüpi keraamika pooljuhtmaterjali kohaldatud valdkonnas mikroelektroonika.