เซมิคอนดักเตอร์คอมโพสิต WO3 โฟโตคะตะลิ ์

ความหมายของสารกึ่งตัวนำคอมโพสิต

ความหมายของสารกึ่งตัวนำประกอบแรกอยู่ในอนุภาคเซมิคอนดักเตอร์ที่มีโครงสร้างแถบพลังงานที่แตกต่างกันซึ่งทำให้การใช้เซมิคอนดักเตอร์ bandgap แคบให้ความรู้สึกสารกึ่งตัวนำนาโนที่มีช่องว่างแถบกว้างเป็นไปได้ ประการที่สองความแตกต่างด้านพลังงานระหว่างเซมิคอนดักเตอร์คอมโพสิตเซรามิเตอร์เป็นองค์ประกอบจะเป็นประโยชน์กับผู้ให้บริการที่สร้างภาพขึ้นมาจากระดับพลังงานของอนุภาคของเซมิคอนดักเตอร์ไปยังอีกระดับหนึ่งซึ่งส่งผลให้เกิดการแยกค่าใช้จ่ายในระยะยาว นอกจากนี้ไอออนโลหะที่แตกต่างกันเนื่องจากลักษณะที่ซับซ้อนและค่าใช้จ่ายที่แตกต่างกันในการสร้างค่าใช้จ่ายส่วนเกินยังเพื่อเพิ่มความสามารถในการจับอิเล็กตรอนหรือโปรตอนในเซมิคอนดักเตอร์เพื่อเพิ่มกิจกรรมของ โฟโตคะตะลิ ์ ตัวเร่งปฏิกิริยาประกอบด้วย: WO3 / α-Fe2O3, WO3 / CeO2, WO3 / Y2O3, WO3 / TiO2, WO3 / CdS / W ect..

WO3 / α-Fe2O3 / W เซมิคอนดักเตอร์คอมโพสิต โฟโตคะตะลิ ์

ผงโลหะ W จำนวนน้อยในคอมโพสิต WO 3 / α-Fe 2 O 3 / W สามารถเพิ่มประสิทธิภาพการเร่งปฏิกิริยาของตัวเร่งปฏิกิริยาได้ หลักการไม่ได้เป็นเพียงเพราะลักษณะของตัวเร่งปฏิกิริยาโลหะ ในเวลาเดียวกันเนื่องจากอิเล็กตรอนที่อุดมด้วยโลหะลดความเข้มข้นของอิเล็กตรอนบนพื้นผิวของเซมิคอนดักเตอร์ซึ่งจะช่วยลดอิเล็กตรอนและรูบนพื้นผิวของเซมิคอนดักเตอร์ (ในสารละลายที่เป็นของเหลวเนื่องจากระดับสารปนเปื้อน ของการปรากฏตัวอินเตอร์เฟซลักษณะเป็นสารกึ่งตัวนำสารประกอบหลักภายในคอมโพสิตตาม) จึงเร่งการถ่ายโอนอิเล็กตรอนปรับปรุงกิจกรรม โฟโตคะตะลิ ์ ของเซมิคอนดักเตอร์ ในขณะเดียวกันการศึกษายังแสดงให้เห็นว่า 1% เป็นจำนวนที่เหมาะสมที่สุดของการเพิ่มว.

α-Fe 2 O 3 เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด P, WO 3 เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n ตามรายงานจากวรรณคดี: เซมิคอนดักเตอร์ชนิด n ที่ใช้สารกึ่งตัวนำชนิด P จะทำให้เกิดปฏิกิริยา โฟโตคะตะลิ ์ สูง WO 3 มีช่องว่างแถบ 2.4eV ~ 2.8eV เนื่องจาก P-type ของα-Fe 2 O 3 มีช่องว่างแถบ 2.3eV, ช่องว่าง WO 3 ของ n-type คือ 2.8eV (ใช้ high-end) การรวมกันของทั้งสองจะช่วยเพิ่มช่องว่างของตัวเร่งปฏิกิริยาด้วยแสงไปสู่ 2.3eV ~ 2.8eV ซึ่งจะช่วยเพิ่มอัตราการดูดซึมของแสงที่มองเห็นได้ซึ่งจะช่วยเพิ่มความสามารถในการเร่งปฏิกิริยาของ WO3 โฟโตคะตะลิ ์.

WO3/CeO2 คอมโพสิต โฟโตคะตะลิ ์

การศึกษาได้แสดงให้เห็นว่าเมทริกซ์ WO3 เจือปน CeO 2 สามารถปรับปรุงกิจกรรม โฟโตคะตะลิ ์ หลักการคือ: เมื่อ โฟโตคะตะลิ ์ จะต้องได้รับพลังงานแสงกระตุ้นเพียงพอเปลี่ยนวงทั้ง WO <3> และ CeO 2 เกิดขึ้นในเวลาเดียวกัน, เนื่องจากความแตกต่างในแถบความจุและระดับพลังงานแถบการนำพลังงานการถ่ายโอนอิเล็กตรอนของวงนำทังสเตนไตรออกไซด์ไปยังระดับพลังงานที่ต่ำกว่า CeO 2 ของแถบการนำและการรวมกันในขณะที่หลุมที่เกิดจากแสงจะรวมตัวกันอยู่ในระดับที่สูงขึ้นของวง WO 3 ประสิทธิภาพการแยกตัวของอิเล็กตรอนและรูพรุนที่เกิดจากการสึกกร่อนสูงกว่า WO 3 และ CeO 2 ที่บริสุทธิ์เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของตัวเร่งปฏิกิริยา.

WO3 / CdS / W Composite โฟโตคะตะลิ ์ ของระบบบำบัดน้ำเสีย

จากผลการทดลองพบว่าภายใต้สภาวะของอัตราส่วนส่วนประกอบของ WO 3: CdS: W = 60: 39: 1 COD การกำจัดสีโดยการใช้ WO 3 / CdS / W โฟโตคะตะลิ ์ อัตราการย้อมสีน้ำเสียเท่ากับ 69.8% และ 71.0%.

คริสตัลแคดเมียมซัลไฟด์ (CdS) มีอยู่สองแบบคือสูตรαที่มีอยู่ในรูปของผงสีเหลืองมะนาว สูตรβ - นำเสนอในรูปของผงสีส้ม ความบริสุทธิ์สูงของ CdS คือเซมิคอนดักเตอร์ที่มีสมบัติที่ยอดเยี่ยมซึ่งมีผลกระทบจากแสงที่มองเห็นได้และสามารถนำมาใช้ในการผลิตเช่นเซลล์แสงอาทิตย์เซลล์แสงอาทิตย์ตัวรับรู้ความไวแสงตัวเร่งปฏิกิริยา โฟโตคะตะลิ ์ เป็นต้นการศึกษาพบว่าการเพิ่มความเหมาะสม ปริมาณ CdS ใน WO3 สามารถปรับปรุงกิจกรรมการเร่งปฏิกิริยาของตัวเร่งปฏิกิริยาด้วยแสงได้ นั่นคือเนื่องจาก WO3 มีช่องว่างแถบ Eq = 2.8eV ขนาดใหญ่และ CdS มีช่องว่างเล็กลงคือ Eq = 2.12eV การใช้ WO3 และ CdS แบบคอมโพสิตจะทำให้อัตราการดูดซับของแสงที่มองเห็นได้เพิ่มขึ้นอย่างมาก.

ทังสเตนไตรออกไซด์ใหม่ โฟโตคะตะลิ ์

ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมาการพัฒนาและการใช้วัสดุโฟโตแคตตาไลติคใหม่ดึงดูดความสนใจของนักวิจัยเช่น WO 3 และ โฟโตคะตะลิ ์s ซึ่งเป็นสารประกอบที่ทำให้เกิดการย่อยสลาย Rhodamine B ได้ภายใน 15 นาที.

เนื่องจากโครงสร้างที่มีรูพรุนและองค์ประกอบพิเศษ โฟโตคะตะลิ ์ ทังสเตนไตรออกไซด์ที่ได้จากการค้นพบนี้จึงแสดงถึงประสิทธิภาพยอดเยี่ยม ทังสเตนไตรออกไซด์นาโนเฟรมสามารถดูดซับแสงที่มองเห็นได้อย่างมีประสิทธิภาพเนื่องจากการสะท้อนหลายส่วนในรูขุมขน นอกจากนี้ค่าที่สร้างขึ้นจะถ่ายโอนไปยังกราไฟท์ได้อย่างรวดเร็วเพื่อหลีกเลี่ยงการรวมตัวของค่าใช้จ่ายใหม่ นอกจากนี้ยังมี graphene nanosheets ที่สัมผัสกับพื้นผิวของตัวเร่งปฏิกิริยาซึ่งทำให้เกิดการปนเปื้อนπ-πระหว่างสารกัมมันตภาพรังสีกับสารย้อมติดสีและทำให้มีอัตราการดูดซับสารตัวเร่งปฏิกิริยาสูงบนพื้นผิวสูง คุณสมบัติที่รวมกันเหล่านี้ช่วยเพิ่มความเสื่อมโทรมของสารก่อมลพิษสีย้อมด้วยแสง.