التنغستن أكسيد السيراميك مكثف الملكية

ومكثف هي مكونات إلكترونية مع المقاومة الكهربائية التي تختلف مع الجهد المطبق. المعروف أيضا باسم المقاوم تعتمد على الجهد (VDR)، أن لديها غير الخطية، غير أومية سمة الجهد الحالي مشابه لتلك التي من الصمام الثنائي. وعلى النقيض من الصمام الثنائي ومع ذلك، فإنه لديه نفس سمات مميزة لكلا الاتجاهين لعبور الحالية. في الجهد المنخفض لديها مقاومة كهربائية عالية مما يقلل كما يتم رفع الجهد.

وتستخدم المقاومات كعناصر تحكم أو التعويض في الدوائر إما لتوفير ظروف التشغيل المثلى أو للحماية ضد الفولتية عابرة المفرطة. عندما تستخدم كأجهزة حماية حيث إنتقل الحالية التي تم إنشاؤها من قبل الجهد المفرط بعيدا عن المكونات الحساسة عند تشغيلها.

وذكر السيراميك WO3 غير الخطية (السلوك حساسة للضغط) لأول مرة ماكاروف في عام 1994، وانها الإشارة إلى أنه يمكن استخدامها كمادة حساسة للضغط منخفض في مجال الالكترونيات الدقيقة منذ السيراميك WO3 تمت منخفض مكثف الجهد. ولكن ليس هناك المزيد من الدراسات والتقارير في الدراسات السابقة حول أصل سلوك وآلية القضايا السيراميك WO3.

ويظهر البحث أن الخصائص مكثف من السيراميك WO3 مختلفة من أكسيد الزنك التقليدية والمواد SnO2 مكثف، ونموذج شوتكي الحاجز التقليدي لا يمكن أن يفسر سلوك WO3 مكثف السيراميك بعد، لذلك يحتاج الحدود الحبوب نموذج شوتكي الحاجز التقليدي إلى تعديل. في ضوء ذلك، تم إعداد السيراميك WO3، وتمت دراسة آلية خصائص حساسة للضغط، والتعديلات WO3 اقترح السيراميك الحدود الحبوب نموذج شوتكي الحاجز.

Undoped السيراميك WO3 متكلس ديه السلوك غير الخطية واضح، ويظهر AES أطياف سطح بلورات السيراميك لديها فائض من الأكسجين. وأظهرت نتائج التبريد ومعالجة جو من عينات السيراميك أن زيادة الأوكسجين على سطح الحبوب هو نتيجة لامتصاص الأوكسجين من السيراميك خلال التبريد. مع تأثير الأكسجين من امتصاص سطح الحبوب وأيونات W، والإلكترونات تتحد لتوفير الحبوب السطح الداخلي من الحبوب في شكل O- والدول اجهة O2- في حدود الحبوب مزيد من حاجز شوتكي هو WO3 السيراميك مكثف أصل السلوك. وهكذا وفقا لالسيراميك الحدود الحبوب نموذج شوتكي الحاجز التقليدي حساسة للضغط، وWO3 المنقحة الحبوب السيراميك حاجز الحدود نموذج.