Tungsten Oksit Seramik Varistör İşletme

Varistör uygulanan gerilim ile birlikte değişen bir elektrik direncine sahip bir elektronik bileşenidir. Ayrıca bir voltaj bağımlı direnç (VDR) olarak da bilinen, bir diyodun edilene benzer bir doğrusal olmayan, sigara-ohmik akım-voltaj özelliğine sahiptir. Bununla birlikte, bir diyot aksine, mevcut çaprazlayan iki yönde aynı özelliğe sahiptir. düşük voltajda voltaj yükseltildiğinde azalır yüksek bir elektrik direncine sahiptir.

Dirençler devrelerde ya optimum çalışma koşullarını sağlamak veya aşırı geçici gerilimlere karşı korumak için kontrol veya tazminat elemanları olarak kullanılmaktadır. koruma cihazları olarak kullanıldığında tetiklendiğinde, onlar duyarlı bileşenlerin uzak aşırı gerilimin yarattığı akımı şant.

Doğrusal olmayan WO3 seramik (basınca duyarlı davranış) ilk olarak 1994 yılında Makarov tarafından rapor edilmiştir ve bunun WO3 seramik beri mikroelektronik alanında alçak basınç duyarlı malzemeler gibi düşük varistör gerilimi vardır kullanılabilir olduğuna işaret ediyor. Ama daha fazla çalışmaları ve WO3 seramik konularında davranış kökeni ve mekanizması hakkında daha önceki çalışmalarda rapor bulunmamaktadır.

Araştırma, geleneksel Schottky bariyer modeli henüz WO3 seramik varistör davranışını açıklamak edemez WO3 seramik varistör özellikleri geleneksel ZnO ve SnO2 Varistör malzemeden farklı olduğunu ortaya koymaktadır, bu nedenle geleneksel tane sınırı Schottky bariyer modeli değiştirilmesi gerekiyor. görünümünde, WO3 seramik hazırlanmış ve basınca duyarlı özelliklerinin mekanizması incelenmiştir ve değişiklikler seramik tane sınırı Schottky bariyer modeli önerilmiştir WO3.

Katkısız WO3 seramik sinterlenmiş AES spektrumları seramik kristaller yüzey oksijen fazlalığı vardır gösterir, belirgin olmayan davranışı vardır. su verme ve seramik örnekleri atmosferi tedavi sonuçları taneleri yüzeyinde oksijen fazlalığı soğuma sırasında seramik oksijen adsorpsiyonu sonucu olduğunu göstermiştir. tahıl yüzey adsorpsiyonu oksijen ve W iyonları ve elektronların etkisiyle tane sınırlarında O- ve O2- arayüz devletler şeklinde daha Schottky bariyer içinde tanelerinin tane iç yüzey sağlamak için bir araya davranış WO3 seramik varistör kökenlidir. Böylece geleneksel basınca duyarlı seramik tane sınırı Schottky bariyer modeli, gözden geçirilmiş bir WO3 seramik tane sınırı bariyer modeline göre.